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 SF6氣體提純裝置的制作方法!

 為納米材料對(duì)純度要求很高，因此在加工納米二氧化硅粉末之前需要用各種純化設(shè)備對(duì)石英石進(jìn)行提純，以滿足納米二氧化硅的性能需求;現(xiàn)有的石英石純化工藝通常按照以下流程進(jìn)行;擦洗脫泥→磁選→浮選→酸浸→微生物浸出。其中磁選主要用于除去石英砂中的磁性礦物，如可以通過強(qiáng)磁性機(jī)除去赤鐵礦、褐鐵礦、黑云母等弱磁性礦物，而強(qiáng)磁性礦物如磁鐵礦則可以通過弱磁選機(jī)除去。

 現(xiàn)有的磁選設(shè)備主要是干粉振動(dòng)式、筒式和輥式等類型，以上幾種類型的磁選機(jī)在清理吸附在磁鐵上的物質(zhì)比較麻煩，通常不是利用高壓水進(jìn)行沖洗就是需要通過卸鐵裝置來清理吸附在機(jī)器上的磁性物質(zhì)，此種操作不僅費(fèi)時(shí)費(fèi)力還浪費(fèi)資源。

 為了解決背景技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置，能夠有效的清除石英砂內(nèi)所含磁性物質(zhì)，提高石英砂的純度，工作效率高。本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置，包括箱體、箱蓋、導(dǎo)氣裝置，其中：

 箱體內(nèi)設(shè)有橫隔板，橫隔板將箱體內(nèi)部分隔成第一腔室、第二腔室，橫隔板上設(shè)有第一開口、第二開口，第一開口內(nèi)設(shè)有第一活動(dòng)門，第二開口內(nèi)設(shè)有第二活動(dòng)門;第一腔室靠近橫隔板一端設(shè)有斜板，斜板與第一腔室側(cè)壁之間圍成一通道，斜板上設(shè)有通孔，第一腔室側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口，進(jìn)氣口與通道相通;第二腔室內(nèi)設(shè)有豎隔板，豎隔板將第二腔室分隔成產(chǎn)品室和雜質(zhì)室，第一開口與產(chǎn)品室相通，第二開口與雜質(zhì)室相通，產(chǎn)品室內(nèi)設(shè)有第一出料口，雜質(zhì)室內(nèi)設(shè)有第二出料口;優(yōu)選的，箱蓋可相對(duì)于箱體做轉(zhuǎn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)。優(yōu)選的，第一腔室遠(yuǎn)離橫隔板一端側(cè)壁山設(shè)有環(huán)形滑槽，箱蓋上靠近第一腔室一端設(shè)有與環(huán)形滑槽滑動(dòng)配合的環(huán)形凸起，箱蓋與驅(qū)動(dòng)裝置連接。優(yōu)選的，導(dǎo)氣裝置包括導(dǎo)氣管和風(fēng)機(jī)，導(dǎo)氣管一端與進(jìn)氣口相通，另一端與風(fēng)機(jī)相接。優(yōu)選的，斜板為倒圓臺(tái)形，斜板一端與橫隔板固定連接，另一端與第一腔室內(nèi)壁固定連接。

 在本發(fā)明中，箱體內(nèi)設(shè)有橫隔板，橫隔板將箱體內(nèi)部分隔成第一腔室、第二腔室，橫隔板上設(shè)有第一開口、第二開口;第一腔室靠近橫隔板一端設(shè)有斜板，斜板與第一腔室側(cè)壁之間圍成一通道，斜板上設(shè)有通孔，第一腔室側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口，進(jìn)氣口與通道相通;第二腔室內(nèi)設(shè)有豎隔板

 豎隔板將第二腔室分隔成產(chǎn)品室和雜質(zhì)室，第一開口與產(chǎn)品室相通，第二開口與雜質(zhì)室相通;箱蓋與第一腔室遠(yuǎn)離橫隔板一端活動(dòng)連接，箱蓋靠近第一腔室一側(cè)分布有多根柱體， 柱體內(nèi)均設(shè)有電磁鐵，電磁鐵與外部電源連接;導(dǎo)氣裝置與進(jìn)氣口接通。本發(fā)明工作時(shí)，先將箱蓋打開，關(guān)閉第一活動(dòng)門、第二活動(dòng)門，將適量待提純的二氧化硅加進(jìn)第一腔室內(nèi)，蓋上箱蓋，電磁鐵與外部電源接通

 導(dǎo)氣裝置向第一腔室內(nèi)導(dǎo)入空氣，使二氧化硅不斷跳動(dòng)，磁性物質(zhì)就不會(huì)受到二氧化硅的阻擋從而吸附到柱體上，磁性礦物全部吸附到柱體上時(shí)，先打開第一活動(dòng)門，二氧化硅從第一開口進(jìn)入產(chǎn)品室并從第一出料口出料，二氧化硅出料完成之后，關(guān)閉第一活動(dòng)門，打開第二活動(dòng)門，將電磁鐵與外部電源斷開，柱體上吸附的磁選物質(zhì)脫落從第二開口進(jìn)入雜質(zhì)室并從第二出料口出料。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，能夠有效的清除二氧化硅內(nèi)所含的磁性物質(zhì)，提高二氧化硅的質(zhì)量，工作效率高。